蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CuInTe_2化合物チャンクのみを蒸発源として、コーニング1737ガラス上にカルコパイライト型CuInTe_2薄膜を作製した。作製時の基板温度とアニール条件を変えて得られた膜の結晶性をX線回折、分光透過率、AFM、EDSで評価した。室温の基板に蒸着した膜はCuInTe_2構造のほかにCu_2Teの異相が混在したが、数100℃のアニールでカルコパイライト構造のみの膜が得られた。基板温度が300℃以上ではInTeの異相が混在し、組成でle成分が大きく不足した。結晶粒の大きさは基板温度が高くなると大きくなった。アニール条件としては、温度300℃、15分間で十分であった。吸収係数の光子エネルギー依存性から求めたCuInTe_2薄膜のエネルギーギャップは0.93eVであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
池田 広
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
吉田 龍三
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
高橋 崇宏
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
江間 義則
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
池田 広
静岡大学工学部電気・電子工学科
-
江間 義則
静岡大学工学部電気電子工学科
-
高橋 崇宏
静岡大学工学部電気電子工学科
-
吉田 龍三
静岡大学工学部電気・電子工学科
関連論文
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- CdSe蒸着膜を用いた照度計用光電池
- MIS構造を用いたCdSe薄膜整流素子(技術談話室)
- 蒸着法で形成したCdTe薄膜太陽電池
- CdTe蒸着膜を用いた薄膜整流障壁の形成(技術談話室)
- 超高導電率n型CdTe蒸着膜の形成とその性質
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- 「データの標準化」特集について
- タイトル無し