蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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CuInTe_2化合物チャンクのみを蒸発源として、コーニング1737ガラス上にカルコパイライト型CuInTe_2薄膜を作製した。作製時の基板温度とアニール条件を変えて得られた膜の結晶性をX線回折、分光透過率、AFM、EDSで評価した。室温の基板に蒸着した膜はCuInTe_2構造のほかにCu_2Teの異相が混在したが、数100℃のアニールでカルコパイライト構造のみの膜が得られた。基板温度が300℃以上ではInTeの異相が混在し、組成でTe成分が大きく不足した。結晶粒の大きさは基板温度が高くなると大きくなった。アニール条件としては、温度300℃、15分間で十分であった。吸収係数の光子エネルギー依存性から求めたCuInTe_2薄膜のエネルギーギャップは0.93eVであった。
- 2003-05-09
著者
-
池田 広
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
吉田 龍三
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
高橋 崇宏
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
江間 義則
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
池田 広
静岡大学工学部電気・電子工学科
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江間 義則
静岡大学工学部電気電子工学科
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高橋 崇宏
静岡大学工学部電気電子工学科
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吉田 龍三
静岡大学工学部電気・電子工学科
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