CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CuIをCu供給源としてホットウォール法によりCuInSe_2薄膜を作製した。CuIのみの蒸着では基板温度が500℃の場合何も付着しないが、Seを同時に加えることによりセレン化銅の膜が堆積された。これにIn_2SeとSeの蒸気を加えることでCuInSe_2膜が作製できた。ガラス基板上の成膜ではもわずかにセレン化銅の混在した[112]配向性を持つCuInSe_2が形成された。組成比はCu:In:Seが1:1:2に近いものでもIは検出限界以下であった。GaAs(001)基板上への成膜ではCuInSe_2がエピタキシャル的に成長した部分が認められた。純銅を蒸発源として作製した試料と比べ、CuIを用いた試料では結晶性などがやや劣っていた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
菊池 仁
静岡大学工学都電気・電子工学科
-
高橋 崇宏
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
江間 義則
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
天羽 広史
静岡大学工学部電気・電子工学料
-
江間 義則
静岡大学工学部電気電子工学科
-
高橋 崇宏
静岡大学工学部電気電子工学科
-
天羽 広史
静岡大学工学都電気・電子工学科
関連論文
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- CdSe蒸着膜を用いた照度計用光電池
- MIS構造を用いたCdSe薄膜整流素子(技術談話室)
- 蒸着法で形成したCdTe薄膜太陽電池
- CdTe蒸着膜を用いた薄膜整流障壁の形成(技術談話室)
- 超高導電率n型CdTe蒸着膜の形成とその性質
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- 「データの標準化」特集について
- タイトル無し