江間 義則 | 静岡大学工学部 電気・電子工学科

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概要

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• 江間 義則

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 菊池 仁

  静岡大学工学都電気・電子工学科

• 池田 広

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 吉田 龍三

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 伊藤 晃範

  静岡大学大学院理工学研究科

• 池田 広

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 天羽 広史

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 加藤 洋

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 吉田 龍三

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 永田 貴章

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 矢崎 達也

  静岡大学大学院理工学研究科

• 平岡 航

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 天羽 広史

  静岡大学工学都電気・電子工学科

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学都電気・電子工学科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 源一郎

  九州大学薬学部

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

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著作論文

• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
• AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
• AgInSe2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響

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