AgInSe2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
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概要
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AgInSe2合金、Se及び不純物源の3源同時蒸着によりGeまたはBrを添加したカルコパイライト型AgInSe2薄膜を作製し、その結晶性に及ぼす効果を調べた。Ge、Brは膜中に微量しか取り込まれず、Ag、In、Seは化学量論的組成にごく近いものが得られた。基板温度400℃で成膜したものはカルコパイライト構造の[112]配向性がきわめて高くなった。しかし、室温または200℃で作製したBr添加膜を400℃でアニールした試料は配向性が悪くなった。SEM観察から高配向性の試料は成膜初期から均一に結晶成長していることが判った。Ge、Br添加試料共にn型伝導を示し導電率は無添加試料に比べ2-3桁高くなった。
- 1998-05-21
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