超高導電率n型CdTe蒸着膜の形成とその性質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
- 太陽電池用窓材料としてのCdS蒸着膜--ガラス基板上での実験的検討
- Abnormal Current Oscillation Different From Gunn Oscillation in Bulk GaAs
- BSF効果を有するp-Si/n-CdSヘテロ接合太陽電池
- セレン薄膜を用いたメモリスイッチ素子のエ-ジング効果
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- CdSe蒸着膜を用いた照度計用光電池
- CdSeとSeの同時蒸着を用いたCdSe薄膜整流障壁の形成
- MIS構造を用いたCdSe薄膜整流素子(技術談話室)
- CdSe蒸着膜の少数キャリア拡散長の測定
- CdSeとSeの同時蒸着を用いた薄膜整流素子(技術談話室)
- 蒸着速度制御法によるCdSe薄膜整流障壁の形成
- CdSeとSeの混合物蒸着による薄膜整流障壁の形成
- 蒸着法で形成したCdTe薄膜太陽電池
- CdTe蒸着膜を用いた薄膜整流障壁の形成(技術談話室)
- 超高導電率n型CdTe蒸着膜の形成とその性質
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe_2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- AgInSe2薄膜の不純物添加効果 : GeまたはBr添加による結晶性への影響
- ZuTe蒸着膜の性質に対する蒸着速度と基盤温度の効果
- p-Si/n-CdSヘテロ接合の製作とその電気的特性
- 高電気伝導度n型CdTe蒸着膜の形成とその性質
- 非晶質Se-Al接触における暗起電力の観測
- 非晶質Se1-xTexの性質とSe1-x1Te1-x1-Se1-x2Tex2接合の光起電力および整流作用