CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
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概要
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CuIをCu供給源としてホットウォール法によりCuInSe_2薄膜を作製した。CuIのみの蒸着では基板温度が500℃の場合何も付着しないが、Seを同時に加えることによりセレン化銅の膜が堆積された。これにIn_2SeとSeの蒸気を加えることでCuInSe_2膜が作製できた。ガラス基板上の成膜では、わずかにセレン化銅の混在した[121]配向性を持つCuInSe_2が形成された。組成比はCu:In:Seが1:1:2に近いもので、Iは検出限界以下であった。GaAs(001)基板上への成膜ではCuInSe_2がエピタキシャル的に成長した部分が認められた。純銅を蒸発源として作製した試料と比べ、CuI用いた試料では結晶性などがやや劣っていた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
菊池 仁
静岡大学工学都電気・電子工学科
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高橋 崇宏
静岡大学工学部 電気・電子工学科
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江間 義則
静岡大学工学部 電気・電子工学科
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天羽 広史
静岡大学工学部電気・電子工学料
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江間 義則
静岡大学工学部電気電子工学科
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高橋 崇宏
静岡大学工学都電気・電子工学科
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天羽 広史
静岡大学工学都電気・電子工学科
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