フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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フラッシュ蒸着法によりGaAs(100)基板上にカルコパイライト型CuInSe_2薄膜をエピタキシャル成長させる条件を調べた。基板温度は420℃とし、CuInSe_2化合物チャンク数100ngを数秒間隔で周期的に供給し、形成された膜をX線回折、AFMなどで調べた。毎秒3オングストローム程度の堆積速度で材料を供給した場合に最良のエピクキシャル膜が得られた。堆積速度が大きい湯合はエピタキシャル膜とはならず、(112)配向膜となった。
- 2007-05-17
著者
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高橋 崇宏
静岡大学工学部 電気・電子工学科
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江間 義則
静岡大学工学部 電気・電子工学科
-
伊藤 晃範
静岡大学大学院理工学研究科
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江間 義則
静岡大学工学部電気電子工学科
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高橋 崇宏
静岡大学工学部電気電子工学科
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平岡 航
静岡大学工学部電気電子工学科
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