高橋 崇宏 | 静岡大学工学部電気電子工学科

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• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 江間 義則

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 江間 義則

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部電気電子工学科

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  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 吉田 龍三

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• 吉田 龍三

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• 永田 貴章

  静岡大学工学部電気電子工学科

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  静岡大学大学院理工学研究科

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• 天羽 広史

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著作論文

• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuIを用いたホットウォール法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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