TiO_2:TiN混合ターゲットを用いたスパッタリングによるN添加TiO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• TiO_2とTiNの粉末混合ターゲットを用いて、スパッタリング法でN添加アナターゼ型TiO_2薄膜を作製した。TiO_2に対するTiNの比率として、4/10、1/10、1/50のターゲットを用い、スパッタリング電力、圧力、基板温度を変えて成膜し、その結晶性等をX線回折、分光透過率、AFM等により調べた。スパッタリング電力が150W以上で多結晶N添加TiO_2膜が得られた。N添加により可視域での吸収が認められた。TiNの混合比が1/50の試料では、膜中のN量は約4%であり、アナターゼ型TiO_2(004)配向が優勢となった。基板温度が300℃と高い試料でルチル型TiO_2が認められた。水の接触角測定、メチルレッドメチレンブルー溶液の分解より、光触媒性を確認できた。

• 2007-05-17

著者

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 江間 義則

  静岡大学工学部 電気・電子工学科

• 江間 義則

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 高橋 崇宏

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 永田 貴章

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 矢崎 達也

  静岡大学大学院理工学研究科

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