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静岡大学工学部電気・電子工学科 | 論文
- 電気接点に埋め込まれた永久磁石の極性が開離時アークの回転運動に与える影響
- C-5-10 電磁リレーに搭載された電気接点対の陰極側に埋め込まれた永久磁石によるアーク放電の回転駆動(C-5.機構デバイス,一般セッション)
- C-5-9 永久磁石を埋め込む極性が開離時アークの回転駆動に与える影響(C-5.機構デバイス,一般セッション)
- C-5-8 横磁界印加時の開離時アークの継続時間と開離速度の関係(C-5.機構デバイス,一般セッション)
- C-5-7 直流高電圧回路内で横磁界により駆動される開離時アークに作用するローレンツ力とそのアーク長さ(C-5.機構デバイス,一般セッション)
- MOCVD法によるGaAs基板上InGaAsグレーデッド層成長
- 直流回路におけるAg接点対間で発生する開離時アークの継続時間に対する横磁界の影響(放電,実装,EMC,一般)
- 直流回路におけるAg接点対間で発生する開離時アークの継続時間に対する横磁界の影響(放電,実装,EMC,一般)
- 銅電気接点対における開離時アークの分光特性
- Cu, Ni, Pd 電気接点対で発生する開離時アークの温度測定
- Cu, Ni, Pd電気接点対で発生する開離時アークの温度測定
- リレー搭載閉成責務動作接点対での分離時電圧波形 : 分離動作時のワイピング作用中のチャッター
- C-5-9 20A抵抗回路で閉成責務動作するリレー接点での分離不良の一原因(C-5.機構デバイス)
- 銅電気接点対での開離時アークの電圧・電流・温度・金属蒸気密度の関係
- 銅電気接点対での開離時アークの電圧・電流・温度・金属蒸気密度の関係
- SC-3-8 Cu 電気接点対における開離時アークの温度測定
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- GaN/Al_2O_3成長における低温バッファ層の役割
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