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筑波大学・物理工学系 | 論文
- 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 純古典的2体剛体衝突モデルに基づく固体表面での分子線非弾性散乱の解析
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- Pt(111)表面での単原子層グラファイト形成におけるCH_4分子線並進エネルギーの影響
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 1B07 フルオロ不斉骨格を持つ強誘電液晶性ポリチオフェン誘導体の合成と性質
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