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理研:群大工 | 論文
- Erをドープした発光するSi薄膜のME-CAICISSによる結晶構造解析 : エピキタシャル成長IV
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 「結晶成長若手の会」の活動状況 : Part3
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- 「結晶成長若手の会」の活動状況Part 2
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜の生成機構
- MTSを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜機構 : 薄膜
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドの CVD 成長過程のその場観察 : 薄膜
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究 (III) : 無機結晶II
- 熱重量法によるCVD過程の研究(II) : 気相成長III
- 27aC2 熱重量法によるCVD過程の研究(1)(気相成長I)