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沖電気工業株式会社生産センタ | 論文
- MOSFET開発におけるTCAD適用手法
- MOSFET開発におけるTCAD適用手法
- Si/CaF2/Si積層SOI構造へのCMOSデバイスの形成
- CVD酸化膜の吸湿過程と水の脱離機構
- Ti密着層を用いたAl-Si-Cu埋め込みヴィアのエレクトロマイグレーション
- Al合金/Ti構造における下地絶縁膜表面粗さのAl配向性への影響
- 低誘電率SiOF膜の0.35μmCMOSへの適用
- アルミ積層配線のエレクトロマイグレーション : TiNを上層に有する積層配線の信頼性
- Al高温スパッタ法により形成される生成物と配線信頼性への影響
- Cu/Ti/TiN/Ti構造を有するダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性
- a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析
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- EM加速試験におけるAl配線抵抗増加特性
- 多層配線における埋め込みヴィアホール形成技術
- Cu/Ti/TiN/Ti積層構造を有する高信頼性Cuダマシン配線 (SPA特集) -- (SPAをささえる個別技術)
- CMOS1MビットDRAMの開発