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株式会社 東芝 セミコンダクター社 | 論文

• 43nmCMOS技術を用いた120mm^2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
• 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
• 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
• HfSiONゲート絶縁膜CMOSの性能と信頼性におけるHf濃度の影響
• 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
• 70nm 8ギガビットNANDフラッシュメモリの設計
• ED2000-110 / SDM2000-92 / ICD2000-46 アクセスタイム60nsの低消費電力、混載用32kB 3トランジスタフラッシュメモリ(TTF)
• ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ
• 高速・低スタンバイリークを実現する Selective MT 手法の提案
• 高速・低スタンバイリークを実現するSelective MT手法の提案
• 高速・低スタンバイリークを実現する Selective MT 手法の提案
• レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μm CMOS Bluetoothトランシーバ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μm CMOS Bluetoothトランシーバ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ
• RF CMOS技術によるBluetooth無線トランシーバLSI (特集 明日を切り開くシステムLSI)
• NOR型フラッシュメモリの消去分布縮小を実現するサンプリングウィークプログラム方式
• 非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

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