高速・低スタンバイリークを実現する Selective MT 手法の提案
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概要
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本論文では,Multi-Threshold CMOS(MTCMOS)をセル単位で選択的に使用する自動設計手法(Selective MT手法)を提案する.低Vthトランジスタと高Vthのスリープトランジスタから成る「MTセル」を開発し,回路中のクリティカルパスのみに選択的にMTセルを割当てる.本手法を実現するために,MTセル・ライブラリと自動設計ツールを開発し,RTLからレイアウトまでの設計フローを構築した.本手法をW-CDMA携帯電話向けDSPコアに実験適用し,評価した.その結果,すべてを高Vthで設計した場合に比べ,スタンバイリークを増加させること無く,ワーストパス遅延が14%短縮され,面積増加が10%に抑えられることが分った.リーク電流の実測結果も合わせて報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-21
著者
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宇佐美 公良
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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河邉 直之
(株)東芝システムLSI第一事業部
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古澤 敏行
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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河辺 直之
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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小泉 正幸
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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瀬田 克弘
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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