広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μm CMOS Bluetoothトランシーバ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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-40℃〜+90℃の広い温度範囲で高い受信感度および高品質な送信信号を達成する2.4GHz帯Bluetooth無線トランシーバLSIを0.13μmCMOS技術で実現した。送受信アーキテクチャには、低IF受信方式とダイレクトコンバージョン送信方式を採用している。LNAを含む受信系は、バイアス電流合成方式による電圧利得の温度補償を行うことにより、最悪の環塊条件である高温においても-89.6dBmの高受信感度を達成した。送信系では、PAのバイアスを工夫することにより線形性向上を図り、送信信号の2次高調波成分を低減している。これによりVCOプリングが抑制され、送信キャリア周波数変動を18kHz以下に抑えることができた。
- 2008-02-28
著者
-
清水 優
(株)東芝セミコンダクター社
-
小泉 正幸
(株)東芝 半導体システム技術センター
-
小林 弘幸
(株)東芝セミコンダクター社
-
間島 秀明
(株)東芝セミコンダクター社
-
阿川 謙一
(株)東芝SoC研究開発センター
-
浦川 剛
(株)東芝セミコンダクター社
-
阿川 謙一
(株)東芝セミコンダクター社
-
永野 剛之
(株)東芝セミコンダクター社
-
石塚 慎一郎
(株)東芝 セミコンダクター社 アナログペリフェラル統括部
-
石塚 慎一郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
小泉 正幸
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
荒井 誠
(株)東芝セミコンダクター社
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