RF CMOS技術によるBluetooth無線トランシーバLSI (特集 明日を切り開くシステムLSI)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東芝技術企画室の論文

著者

• 間島 秀明

  (株)東芝セミコンダクター社

• 阿川 謙一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 小泉 正幸

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

関連論文

• 低電力BluetoothシングルチップLSI : 回路/無線アーキテクチャ/システムレベルの最適化(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 1.5MHz-IF受信方式および直接変調送信方式によるシングルチップCMOS Bluetoothトランシーバ(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• 低電力BluetoothシングルチップLSI : 回路/無線アーキテクチャ/システムレベルの最適化(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• CMOS LC-VCOの位相雑音最小化(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• CMOS LC-VCOの位相雑音最小化(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• CMOS LC-VCOの位相雑音最小化(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• CMOS LC-VCOの位相雑音最小化(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
• ディジタルI/Qミスマッチ補正回路を搭載したLow-IF方式シングルチップCMOS Bluetooth-EDR送信機(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ディジタルI/Qミスマッチ補正回路を搭載したLow-IF方式シングルチップCMOS Bluetooth-EDR送信機(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 高速・低スタンバイリークを実現する Selective MT 手法の提案
• 高速・低スタンバイリークを実現するSelective MT手法の提案
• 高速・低スタンバイリークを実現する Selective MT 手法の提案
• 広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μm CMOS Bluetoothトランシーバ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 広い温度範囲に対応する受信感度-90dBmの0.13μm CMOS Bluetoothトランシーバ(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
• 1.2V動作可能な中心周波数可変複素バンドパスフィルタ(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• RF CMOS技術によるBluetooth無線トランシーバLSI (特集 明日を切り開くシステムLSI)
• 4-2 Bluetoothシステムの1チップSoCを可能にするRF CMOSトランシーバ技術(4. システムチップ)(日本のモノづくりを支えるJisso技術)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク