非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

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概要

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0.7V単一電源により1GHz動作する64kBSRAMマクロを開発した。45nmテクノロジーを用いている。低電圧・高速動作を実現するための特徴的な技術として、非対称ユニットβレシオセル・Fine-grained Bit Line Segmentation(FBLS)技術・片側ビット線読出し方式の3つを採用した。非対称セルを用いることで、従来のセルと比べてセル面積を22%削減している。バルクsiプロセスによるsRAMとして、0.7vで1GHz動作を実現した。
2008-04-10

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