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株式会社東芝セミコンダクター社 | 論文
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速にout-of-order実行するためのレジスタ割当て手法
- 90nm世代モバイルSoCの低電力化を実現する階層型多分割電源遮断回路技術(VLSI一般(ISSCC2006特集))
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- B-5-80 直交変調器および直交復調器の誤差推定方法における雑音の影響(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般講演)
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- 階層型OFDM伝送方式における同期方式の一検討
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法