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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- A-4-29 H.264インタレース符号化における処理量削減のための参照フィールド選択方式(A-4.信号処理,一般講演)
- LSI裏面からのTEM試料抽出による不良解析技術(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)
- インピーダンス調整回路を用いた複合型電源電圧降下回路
- Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- ダブルビームFIB-EBによる3D EBIC解析とその応用
- SILプレートによる高分解能故障解析(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
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- 裏面からの多層配線故障解析技術(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
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- 2.4基板加工固浸レンズによる裏面故障診断の高分解能化(セッション2「故障解析2」)(日本信頼性学会第11回研究発表会報告)
- 2.4 基板加工固浸レンズによる裏面故障診断の高分解能化(セッション2「故障解析2」)
- 高感度裏面エミッション検出によるウエハレベル故障分布解析
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- SC-9-8 Backside Diagnostic Techniques for Deep sub-micron VLSI