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株式会社ルネサステクノロジ | 論文
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-12-25 CMOSインバータ遅延回路を用いた低消費電流GFSK復調回路
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- 広帯域復調回路を用いたBluetooth用24GHz帯RFトランシーバLSI (「VLSI一般」)
- C-12-28 入力周波数レンジを改善した低IF方式用GFSK復調回路
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
- マルチコーデック対応可変長符号処理ハードウェアの性能評価(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- マルチコーデック対応可変長符号処理ハードウェアの性能評価(システムLSIの応用と要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術及び一般)
- NOR型フラッシュメモリにおける過剰消去検出手法とその応用
- 低電圧フラッシュメモリのワード線ブースト方式と行冗長方式
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- A-7-12 多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性バラツキを利用した人工指紋デバイスの提案
- 人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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