スポンサーリンク
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター | 論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
- 1.5GHz6.5V/1WディジタルMCA携帯端末用パワーモジュール
- イオン注入GaAsMESFETの歪特性とデュアルモードパワーモジュールの試作
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- GaAs SP8TスイッチICの検討