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東京工業大学・総合理工学研究科 | 論文
- 導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 焼きなまし法を用いた屈折法地震探査データの逆解析
- ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- CS-4-2 深紫外発光素子の開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 深紫外窒化物系発光デバイス
- Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- ラングミュアプローブを用いるヘリウム誘導結合プラズマ質量分析インターフェース内プラズマ測定