ラングミュアプローブを用いるヘリウム誘導結合プラズマ質量分析インターフェース内プラズマ測定
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概要
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He ICPMSを製作するための第一段階として, He ICP用のインターフェースを新しく設計・試作し, ラングミュアプローブを用いてインターフェース内プラズマの空間電位, 浮遊電位, 電子温度, 電子密度を幾つかの条件について測定した. その結果, Ar ICPMSと比較して, 電子温度が高いにもかかわらず, 電子密度が6けた程度低いことが明らかになった. また, マッハディスクの位置の測定に静電プローブが使用できること, 及びマッハディスクの位置の推定にAshkensらの式が適用できることを実験的に示した. マッハディスクはサンプラーオリフィスから約8mmの位置に生成されていることから, 分析に最適なスキマーの位置はサンプラーから約5.3mmであると推測された.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 2000-11-05
著者
-
沖野 晃俊
東京工業大学大学院総合理工学研究科創造エネルギー専攻
-
堀田 栄喜
東京工業大学
-
薮田 泰伸
東京工業大学大学院総合理工学研究科創造エネルギー
-
沖野 晃俊
東京工業大学
-
金子 大吾
東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
薮田 泰伸
東京工業大学・総合理工学研究科
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