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東京工業大学・総合理工学研究科 | 論文
- iTSCOM放送センタ(映像現場訪問記)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討,AWAD2006)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討
- Twin-Channel (TC)-MOSFET の提案とデバイスプロセスの検討
- 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 新世代LSIに期待する (新世代LSIと新しいニ-ズ)
- 微細加工入門-23-クリ-ンル-ムとその関連技術
- 微細加工入門-24完-微細加工Q&A-3-
- 微細加工入門-22-検査・評価技術-2-電気的特性の測定
- 微細加工入門-21-検査・評価技術-1-電子顕微鏡による観察
- 微細加工入門-20-エピタキシャル成長技術
- 微細加工入門-19-微細加工Q&A-2-
- アモルファスSiCヘテロエミッタトランジスタ : バイポーラトランジスタの高速化の新手法
- ひずみ補償によるSiGeB/Siヘテロ構造のB熱安定性向上
- "夢"の実現に向けて
- 新概念のデバイスを探る
- 3次元デバイス
- PtSiを用いたせり上げサリサイドの選択エッチングプロセスとHf混晶化による仕事関数変調
- 位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
- エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製