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日本電気株式会社システムデバイス研究所 | 論文
- 近接場光が拓くナノフォトニクスの新展開
- Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制
- HfO_2/SiO_2界面の熱安定性のHAADF-STEM評価 : Hf分布の定量的測定と拡散係数の決定
- Si酸窒化膜/Si(001)界面研究の最近の展開
- Sio_2/Si 界面構造の原子スケール直接観察
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
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- 22aWB-9 SiO_2/Si(001)界面構造の原子スケール直接観察
- HREM断面観察を用いたSiO_2/Si界面平坦性の定量測定
- 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察
- 機能論理検証問題における組合せ問題の利用 : 充足可能性問題を解法エンジンとして利用する世界(グラフ, ペトリ, ニューラルネット及び一般)
- COOL Chips VIII : IEEE Symposium on Low-Power and High-Speed Chips
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)