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日本電気株式会社システムデバイス研究所 | 論文
- 特集企画にあたって
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 2005 SISPAD会議報告
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔I〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(1) : CMOSデバイスシミュレーションの高精度化
- 原子レベルプロセスデバイスシミュレーションの進展と応用 : 微細MOSFETの真性ばらつき解析
- 表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線
- 目ずれマージンを確保した多層ハードマスク法によるデュアルダマシン形成(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 1/2インチ768×492素子CCDイメージセンサ
- 縦形オーバフロー構造インターラインCCDイメージセンサ
- 3-7 p^+np^-構造フォトダイオードを用いたIL-CCDセンサの残像特性
- 4)高性能インターライン転送方式CCDイメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会(第86回))
- 高性能インターライン転送方式CCDイメージセンサ
- C-3-125 フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- ポストスケーリング技術の現在