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日本大学理工学部電子情報工学科 | 論文
- MOS構造における重イオン照射誘起電流
- 半導体シングルイベント効果研究の現状
- 半導体素子に対する放射線照射効果 : 最近の研究傾向
- 第37回原子力および宇宙放射線効果会議 : (NSREC)報告
- 第4回宇宙用半導体素子放射線影響 : 国際ワークショップ報告
- 傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価
- MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性
- SOI構造における重イオン誘起電荷の測定
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
- 半導体素子の信頼性
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化
- フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流測定
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果
- 第19回国際故障解析シンポジウム(ISTFA'93)参加報告
- MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価
- 熱アシスト磁気記録の近接場プラズモンアンテナと粒子状媒体(垂直磁気記録及び一般)
- 光磁気ハイブリッド記録用近接場光電極構造・材料のシミュレーション検討
- フェムト秒レーザーを用いたGdFeCo薄膜磁化動特性観察・制御(ハードディスクドライブ及び一般)
- B-1-115 伝送路結合による間引き給電型アレーアンテナの検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)