スポンサーリンク
半導体研究振興会 | 論文
- サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- シリコン完全結晶のエピタキシャル成長(Growth and Characterization of Silicon Crystals)
- 25aB05 液相エピタキシャル成長法によるInP(001)面基板上への無転位InP ELO層形成及びキャリア移動度フィッティング(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB06 In添加PbTe液相エピタキシャル層の成長と中遠赤外半導体レーザへの応用(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- 25aB09 GaAs側壁トンネル接合作製のための選択再成長分子層エピタキシと再成長前AsH_3表面処理の効果(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- テラヘルツ波領域における生体材料の分光と画像解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- テラヘルツ中空導波路用なす型レンズ
- 25pB10 GaPおよびSiエピタキシャル導波路の1.5μm帯ラマン増幅効果(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
- 25aC07 高濃度Te添加極薄GaAs分子層エピタキシャル成長層の異方的格子歪み(結晶評価・その場観察(2),第34回結晶成長国内会議)
- 分子層エピタキシ法によるGaAs成長のBeドーピング特性(半導体結晶成長I)
スポンサーリンク