スポンサーリンク
三菱電機株式会社ULSI開発研究所 | 論文
- 0.15μm CMOSトランジスタの高性能,高信頼性化プロセス
- DD(Deep Depletion)MOSFETおよびBCCDにおける狭チャンネル効果の定量的評価法
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- 1.8V動作4MビットフローティングゲートNOR型B4-Flashテストチップを用いた100MByte/sプログラムの考察(集積エレクトロニクス)
- Ba_xSr_TiO_3薄膜のデバイス応用
- SFU(Space Flyer Unit)による微小重力環境下でのInGaP気相成長実験
- 6)485×510画素1/2インチフォーマットカラーイメージセンサ([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)
- 中性 trap 生成の解析に基づいた新しいゲート酸化膜破壊モデルの提案
- 電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案
- 電流ストレスによりSi熱酸化膜界面近傍に生成された中性trap密度の評価手法の提案
- ベリッドチャネル形nMOSFETによるソース/ドレーン対称構造のフラッシュメモリセル(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- ディープサブミクロン領域におけるACホットキャリヤ劣化寿命予測シミュレーション(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 3.3V単一電源、16MビットDINOR型フラッシュメモリ
- DINORフラッシュメモリの動向
- 3V単一電源DINOR型フラッシュメモリ
- PchセルによるDINORフラッシュメモリのスケーラビリティの向上
- NOR型フラッシュメモリにおける過剰消去検出手法とその応用
- 低電圧フラッシュメモリのワード線ブースト方式と行冗長方式
- 昇圧センスグランド方式を採用した256Mbit DRAM
- 兵庫県南部地震による半導体研究開発部門の被害と地震対策