スポンサーリンク
三菱電機(株)ULSI技術開発センター | 論文
- ボディ浮遊SOI MOSトランジスタの電流駆動能力低下メカニズムとその改善構造
- パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
- フィールドシールド分離SOI MOSFETにおける放射線耐性の解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
- コンタクト特性を考慮したa-Si:H TFTの電気的特性の解析
- (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- TEMによる評価・解析技術
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[2] : アクティブプルアップ制御方式
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[1] : リフレッシュ制御方式