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三菱電機(株)ULSI技術開発センター | 論文
- CPU直結型コントローラ内蔵 16M CDRAM
- 180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
- 広い動作周波数を実現するパイプライン制御法
- DDR SDRAMのデータスキュー低減
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMIC整合回路一体形低雑音増幅器
- 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 部分空乏型SOIデバイス
- SOI MOS トラジスタの問題点と高性能化
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
- SOIデバイスの研究開発動向
- 3) 70ns 256kビット・ダイナミックRAM(テレビジョン電子装置研究会(第122回))
- ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
- ゲート酸化膜の電気的特性に対する有機物汚染の影響
- ゲート酸化膜の破壊メカニズム
- ゲート酸化膜寿命の電界依存性
- 6)485×510画素1/2インチフォーマットカラーイメージセンサ([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)
- デバイス/回路シミュレータの結合