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三菱電機(株)半導体基盤技術統括部 | 論文
- 1B-2 発光解析を用いたVLSIファンクション不良解析技術
- VLSIテスタと接続したエミッション顕微鏡によるメモリLSIの故障検出率の向上
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- 回路定数最適化システムを用いた11bit 160MS/s 1.35V 10mW D/Aコンバータ
- ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性
- レファレンスフィードフォワードアーキテクチャを用いた10-bit 50MS/s 300mW A/Dコンバータ ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- 階層型メモリブロックレイアウト方式と分散配置バンク構成を採用した200MHz 1GbitシンクロナスDRAMの設計技術
- GaAs基板上のMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタへの重粒子照射
- Pseudomorphic HEMT及びDual Gate GaAs MES-FET MMICのγ線照射効果
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- 先端デバイス開発における信頼性評価解析技術 (メモリ・マイクロコンピュ-タ) -- (要素技術)
- CAD支援によるLSI裏面発光解析の高精度化
- CAD支援によるLSI裏面発光解析の高精度化
- LSIチップ裏面発光解析技術
- LSIデバイスの平坦化(CMP)におけるパターン依存性の検討
- シリコンチップ薄膜化による裏面フォルトアイソレーションの検討