スポンサーリンク
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部 | 論文
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSデバイスのばらつき(招待講演,学生・若手研究会)
スポンサーリンク