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(株)東芝研究開発センターULSI研究所 | 論文
- 低電力BluetoothシングルチップLSI : 回路/無線アーキテクチャ/システムレベルの最適化(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- Tiバリア表面窒化プロセスによる低抵抗・高信頼性Cu配線の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 積層型CCDセンサのランダム雑音の解析 : 固体撮像関連 : 情報入力 : コンシューマエレクトロニクス
- 1.9GHz移動体通信用GaAsSPDTスイッチIC
- 低電圧単一電源駆動GaAsパワーアンプ
- 低電圧・単一電源動作可能な1.9GHz帯電力増幅用WNx/WセルフアラインゲートGaAs MESFET(2) : 変調精度の評価
- 1.9GHz高調波抑圧フィルタ内蔵線形電力増幅器MMIC
- 低電圧単一動作GaAsパワーアンプMMIC
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- プリプロセス形CCDイメージセンサ : 画素加算形1/3インチ16万画素CCD撮像素子 : 情報入力
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- ULSI配線の高信頼化技術
- 結晶制御による金属配線高信頼化技術
- シリコン中における高濃度ボロンの固溶状態
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 原子間力顕微鏡を用いたけい酸エステルとオゾンの科学気相堆積プロセスの分析