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(株)東芝半導体デバイス技術研究所 | 論文
- NANDフラッシュメモリの動向
- 次世代超LSIへのアプロ-チ--SOS技術の実用化はいま(新技術シリ-ズ)
- スピードを維持した50%省電力化回路
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- TRON32ビットマイクロプロセッサTXシリ-ズ
- フラッシュメモリの低電圧・低消費電力技術
- 同期型高速DRAMの新しい書き込み方式
- ウエハレベルSRAM高速評価DFT技術
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- RISCパイプラインアーキテクチャの性能評価シミュレーション
- パネル討論「ポストVLIW時代のマイクロプロセッサ像」
- 2-1 ゲーム機向けシステムLSI (2. アプリケーション)
- クォーターミクロン世代に向けての多層配線技術の課題と展望
- センスアンプーフリップフロップを用いた200MHzを画像圧縮/伸張マクロセル : VLD, DCT/IDCT Macrocell using SA-F/F
- ISSCC'93報告(マイクロ・プロセッサ,ニューラルネットワーク)
- ISSCC'93報告
- 技術力のアピールと実用化の努力(企業の中での学会活動)
- 多層パッケージにおけるSSN特性と実効インダクタンスに関するモデル化技術
- リードフレーム・パッケージのSSN解析におけるモデル簡略化手法
- セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ