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(株)東芝半導体デバイス技術研究所 | 論文

• セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ
• 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
• 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
• リードフレーム・パッケージにおける同時スイッチング・ノイズ
• インダクタンス計算による△Iノイズの特性検討

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