原 祥太郎 | 東大
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概要
関連著者
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原 祥太郎
東大
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泉 聡志
東京大学大学院工学系研究科
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泉 聡志
東大工
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酒井 信介
東大工
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熊谷 知久
東京大学 大学院工学系研究科
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原 祥太郎
東大院
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熊谷 知久
東大院
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酒井 信介
東京大学大学院工学系研究科
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原 祥太郎
東大工
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酒井 信介
東大
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原 祥太郎
東京大学大学院工学系研究科
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酒井 信介
東京大学
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熊谷 知久
東大工
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酒井 信介
東大院
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熊谷 知久
東京大学大学院工学系研究科
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泉 聡志
東京大学大学院 工学系研究科
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泉 聡志
東大院
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村井 克成
東京大学大学院工学系研究科:(現)川崎重工業(株)ガスタービン・機械カンパニー
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泉 聡志
東大
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加藤 孝久
東大工
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佐藤 裕輔
(株)東芝研究開発センター
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橘鷹 伴幸
(株)トヨタ自動車
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佐藤 裕輔
東芝研究開発センター
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サイード ハサン
東大工
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酒井 信介
東京大学大学院 工学系研究科
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村上 存
東京大学
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濱口 哲也
東京大学大学院工学系研究科
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山崎 美稀
(株)日立製作所機械研究所
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山崎 美稀
日立 機械研
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村上 存
東京大学大学院工学系研究科
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村井 克成
東大院
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柳澤 秀吉
東京大学大学院工学系研究科
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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酒井 信介
東京大学工学系研究科
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泉 聡志
東京大学工学系研究科
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村上 存
東大
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村上 存
東京大学大学院工学系研究科産業機械工学専攻
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村上 存
東京大学 大学院工学系研究科 産業機械工学専攻
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及川 和広
東京大学 大学院工学系研究科
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草加 浩平
東京大学
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及川 和広
東京大学大学院工学系研究科
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草加 浩平
東京大学大学院工学系研究科
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山崎 美稀
日立機械研
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岩崎 富生
日立機械研
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山際 謙太
(独)産業安全研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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草加 浩平
東京大学大学院 工学系研究科産業機械工学
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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山際 謙太
東大院
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橘鷹 伴幸
東大院
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竹内 久雄
住友電工
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新國 大介
東大院
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原 祥太郎
東京大学工学系研究科機械工学専攻
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熊谷 知久
東京大学工学系研究科機械工学専攻
-
村上 存
東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻
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柳澤 秀吉
東京大学大学院工学研究科
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中村 育弘
東大院
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孫 瑜
東大工
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サイード ハサン
東大院
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貝原 裕次郎
東大院
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草加 浩平
東京大学大学院 工学系研究科 国際工学教育推進機構 バイリンガルキャンパス推進センター 国際工学教育プロジェクト部門 グローバル創造工学教育分野
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柳澤 秀吉
東京大学大学院 工学系研究科
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濱口 哲也
東京大学大学院 工学系研究科 機械工学専攻
著作論文
- 1409 分子動力学によるZr基金属ガラスの構造解析 : ポテンシャルの精度検証(OS-14B ナノ組織,OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 東京大学機械系三学科における3次元CADによる設計教育
- J0402-2-6 原子シミュレーションによる樹脂モールド構造の接着界面強度評価(締結・接合部の力学・プロセスと信頼性評価(2))
- 822 古典分子動力学法を用いたアモルファスカーボン原子構造の検討(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(6))
- K-0823 局所自己アフィンフラクタルによる破壊遷移部の同定(S11-6 構造健全性評価(6))(S11 構造健全性評価)
- 261 ナノレイヤー金属材料における界面と転位の相互作用計算(欠陥,OSO7 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 3960 共有結合系のためのボンドオーダ型原子間ポテンシャル作成手法の開発(S21-4 微細構造体の設計と解析,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
- シリコンの固相成長速度へのヒ素原子の影響に関する分子動力学解析
- シリコンの融点と弾性定数を再現するボンドオーダ型原子間ポテンシャルの開発
- P64 薄膜の力学的特性評価に向けた分子動力学-有限要素法連結解析(薄膜,ポスター講演3)
- 1821 Si-B系のためのボンドオーダ型原子間ポテンシャルの開発(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
- 1803 シリコンの固相成長速度への不純物原子の影響に関する分子動力学解析(J06-1 マイクロ・ナノ構造と変形解析,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
- シリコンのアモルファス-結晶界面の構造/力学的特性 : 分子動力学的アプローチ
- 第一原理計算と古典分子動力学の組み合わせ解析によるアモルファスシリコン表面の構造・力学的特性評価
- シリコンの弾性定数と融点を再現するボンドオーダポテンシャルの開発(OS13f 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
- 三次元分子動力学 : 有限要素法連結手法に関する基礎的検討(OS13c 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
- Si/SiO_2系のための電荷移動原子間ポテンシャルの開発(J08-1 解析手法・モデリング,J08 原子系の計算力学シミュレーション)
- 624 Si/SiO_2 界面のための電荷移動原子間ポテンシャルの開発
- 620 Tight-binding 分子動力学による SiH4 の解離吸着シミュレーション
- 604 第一原理-古典分子動力学ハイブリッド法によるアモルファスシリコンの最安定構造の探索
- 625 シリコンの固相成長に関する分子動力学シミュレーション
- Si-H 系分子動力学ポテンシャルの開発と CVD 反応過程への応用(分子動力学)
- 416 SiH系の分子動力学ポテンシャルの開発(OS05-5 ポテンシャルと熱伝導)(OS05 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
- 局所自己アフィンフラクタルによる破壊遷移部の同定
- 第 1 部 (1) 半導体材料の界面応力/弾性定数の原子レベル評価
- 235 2体ポテンシャルのカットオフ距離が金属系結晶の安定構造と体積弾性率に及ぼす影響(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(10),オーガナイズドセッション)
- 641 金属界面における転位生成強度に関する分子動力学解析(OS11-2 電子・原子レベルのマルチシミュレーションとその応用)
- 1031 加速化分子動力学法による固体中の欠陥挙動の活性化パラメーター導出(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,OS11. 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス 合同ポスターセッション,オーガナイズドセッション講演)
- 1003 ダイアモンドSi結晶における均質転位核生成過程の反応経路解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,オーガナイズドセッション)
- 1004 均質転位核生成過程における活性化エネルギーに関する結晶構造の影響(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
- 1022 Dislocation nucleation from a sharp corner in copper : Difference between 90° partial and 30° partial
- 809 機械構造物のリスクマネジメント能力を持った保全技術者の育成プログラムの開発(産学連携ポスターセッション)
- アモルファスシリコンの表面エネルギ・表面応力(分子動力学)
- 811 シリコンの表面応力と表面弾性定数
- 603 分子動力学法によるイオンシャワーエッチングシミュレータの作成