1003 ダイアモンドSi結晶における均質転位核生成過程の反応経路解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,オーガナイズドセッション)

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概要

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• Dislocation nucleation is a stress mediated, thermally activated transition process. Although it is an atomistic phenomenon, an accurate elucidation of its mechanism is not accessible to Molecular Dynamics because of its limited time-scale. In this study, Reaction Pathway Sampling methods were utilized to find out the minimum energy path and the activation energy for homogeneous nucleation in diamond-cubic Si. This was followed by a derivation of relationship between the activation energy and the resolved shear stress. The results obtained were also compared with results for homogeneous dislocation nucleation in face centered cubic Cu.

• 2009-10-10

著者

• 泉 聡志

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 信介

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 信介

  東大

• 泉 聡志

  東大院

• 酒井 信介

  東大院

• 原 祥太郎

  東大

• 原 祥太郎

  東大院

• サイード ハサン

  東大工

• サイード ハサン

  東大院

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