半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会の論文
- 1999-11-25
著者
-
狩野 文良
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
狩野 文良
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
狩野 文良
Ntt未来ねっと研究所
-
渡辺 俊夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
八坂 洋
Ntt 光エレクトロニクス研
関連論文
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 光集積回路用低損失InP光導波路の検討(光エレクトロニクス)
- C-4-27 10Gb/s 1.55μm帯EADFBレーザの広温度範囲(-25-100℃)SMF 80km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 熱補償型SSG-DBRレーザによる140nm高速波長掃引(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 周波数変調型SSG-DBRレーザと波長フィルタを用いた送信素子(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-6 モードホップフリー分布反射型 (DBR) レーザの波長切替特性
- C-3-58 モノリシック集積型WDM用8ch光変調素子の80Gb/sスループット動作(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-4-32 リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザによる25Gbps-85℃エラーフリー動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 InP MZM搭載10Gbps波長可変光源の全Cバンド変調振幅一定動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 電流帰還による DFB アレイ型波長選択光源の高速波長制御
- フォトニックMPLSルータにおける波長ルーティング技術
- SB-13-4 フォトニックNPLSによるIPと光ネットワークの統合
- B-10-106 フォトニックMPLSルータにおけるVWNを構築する波長変換技術
- B-10-122 フォトニックネットワークテストベッド実験における光伝達システム設計・特性
- CS2000-21 / OCS2000-13 VWPフォトニックネットワーキングテストベッド実験
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- B-10-114 トランスペアレントな光パス伝達網の構成法
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-7 SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器を用いた10Gbit/sデュオバイナリ伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-15 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 低電圧駆動40Gbit/s半導体マッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- B-10-53 半導体光増幅器を用いた10Gb/s信号光のチャープ制御
- 光周波数弁別器を用いた半導体光増幅器出力波形の整形
- 半導体光増幅器を用いたEA外部変調器のチャープ制御
- 半導体光増幅器を用いた光トランスポートノード間伝達距離の拡大
- 半導体光増幅器を用いた信号光チャープの抑圧
- C-4-10 100Gbit/sイーサネット用の1.3μm帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s,シングルモードファイバ40km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-8 1.55μm InGaAlAs EADFBレーザの10/40Gbps広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-12 装荷型構造L帯AlGaInAs EA変調器集積DFBレーザの無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 高分子光導波路を用いたデジタル熱光学スイッチの特性
- 高分子光導波路を用いたデジタル熱光学スイッチの特性
- 高分子光導波路を用いたデジタル熱光学スイッチの特性
- 高分子光導波路を用いたデジタル熱光学スイッチの特性
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御(超高速・大容量光伝送/処理,波分散,及びデバイス技術,一般)
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- B-10-149 分布ラマン増幅に基づくトランスペアレントなフォトニック伝達網の実現規模
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- CS-5-8 1.55μm帯EA-DFB半導体レーザ(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-10 高感度2.3μm光検出新構造フォトトランジスタ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- PDを集積した半導体アレイ導波路回折格子(AWG-PD)の2.5Gb/s受信特性
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半導体マッハツェンダ変調器内蔵波長可変レーザモジュール(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- モノリシック集積型多チャネル光変調素子(導波路型光デバイス論文)
- C-4-16 低チャープ動作の40Gbit/s EA-DFBモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光クロスコネクトの最近の動向とデバイスへの要求
- CS2000-21 VWPフォトニックネットワーキングテストベッド実験
- TC-3-5 波長多重伝送システム設計に用いるシミュレーション方法
- BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-3 高機能半導体モノリシックマッハツェンダ変調器(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-4-14 80Gbit/s動作n-p-i-n構造InP DQPSK変調器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-7-7 低駆動電圧半導体変調器(CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- n-i-n構造マッハツェンダ光変調器の開発
- C-4-23 波長変動を抑制した SSG-DBR レーザのモード安定化法
- C-4-30 注入同期を用いた光周波数スイーパのコヒーレント特性
- OPE2000-41 / LQE2000-35 波長可変注入同期フィルタを用いた光リング型周波数スイーパ
- OPE2000-41 / LQE2000-35 波長可変注入同期フィルタを用いた光リング型周波数スイーパ
- 熱応答補正による光リング回路の広帯域動作
- C-4-38 波長可変レーザの注入同期を応用した光リング回路
- 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造(半導体レーザ関連技術,及び一般)