B-10-53 半導体光増幅器を用いた10Gb/s信号光のチャープ制御
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概要
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電界吸収型(EA)変調器は、小型・低消費電力・低偏波依存という特長を持ち、フォトニック伝達ノードで用いる外部光変調器として有望である。EA変調器の変調特性 は印加バイアス電圧に依存し、バイアス電圧を大きくするほどチャープパラメータは小さくなるが、挿入損失は大きくなる。EA変調器の後段に半導体光増幅器(SOA)を配置した場合、EA変調器の挿入損失を補償すると同時に、SOAの位相変調を利用して信号光のチャープを制御し、光ファイバ伝送時の分散耐力を向上することができる。今回、SOAのキャリア回復時間を高速化することにより、本チャープ制御技術が10Gb/s信号光に対しても有効であることを明らかにしたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-08
著者
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