Si基板上GaPの結晶成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文

著者

• 曽我 哲夫

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

関連論文

• 新規フラーレン誘導体をもちいたバルクヘテロ構造有機薄膜太陽電池(有機材料・一般)
• 小学校第2分科会 数と計算 : I. 小学校部会
• Characterization of TiO2 Incorporated Zeolite Thin Films for solar Cell Application
• Theoretical Performance Study of n-TiO2/p-CuInSe2 Solar Cell and Its Modification for Improved Efficiency
• 2次元流動を考慮した液相成長のシミュレーション(セッション2)
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
• Boron and phosphorus electronic doping of amorphous carbon by pulsed laser deposition using graphite target
• Studies on transparent semiconducting cuI films deposited by XeCl excimer laser and fabrication of p-CuI|n-TiO2 solar cells
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
• Diamond-like Carbon thin films deposited in ambient Helium gas : structural and electrical properties
• SC-7-5 Si基板上の積層型太陽電池
• C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
• C-6-12 MOCVD法により成長したSi基板上InGapの特性改善
• 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
• 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベーション効果
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 歪超格子/GaPを中間層としたSi基板上のGaAs結晶成長 : エピタキシーII
• 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
• 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
• 化学ビームエピタキシャル(CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長
• 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
• 化合物半導体/シリコン積層構造を用いた超高効率太陽電池
• Molecular Beam Epitaxy of Gallium Antimonide
• 3p-H-13 アルフェン波パラメトリック励起の実験 (II)
• 12a-F-11 アルヴェン波パラメトリック励起の実験
• 分光エリプソメトリを用いた化合物半導体の評価
• Si基板上GaPの結晶成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
• MOCVD法によるAl_0.22>Ga_0.78>As/Siタンデム型太陽電池の試作
• シリコン上GaAsレ-ザ- (「半導体レ-ザ-とその製作」特集号)
• si基板上へのシングルドメインGaAs・GaPの成長 (si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構)
• 歪み超格子を中間層に用いたSi基板上へのIII-V化合物半導体のMOCVD成長
• Si基板上へのGaAs結晶成長と光素子への応用 (半導体光素子の現状と将来)
• Si基板上への3-5化合物半導体のヘテロエピタキシ-
• C-13-10 ポリエチレングリコールによるポリマー太陽電池の界面制御(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク