Si(001)上の単原子層ステップとMBE成長 (走査トンネル顕微鏡(STM)<特集>) -- (材料科学への応用)

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概要

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• 日本結晶学会の論文

著者

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

関連論文

• 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
• 応用物性
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• 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
• 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
• 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
• X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
• Si(001)上の単原子層ステップとMBE成長 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (材料科学への応用)
• 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
• DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
• 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
• 2p-S-4 C_8Kの清浄劈開面の表面活性
• 4a-KH-8 C_8Kのエネルギー損失スペクトルII
• 12a-E-6 C_8Kのエネルギー損失スペクトル
• 30a-Y-11 グラファイトのエネルギー損失分光
• 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
• 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
• シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)

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