Effects of Electron Irradiation on CuInS2 Crystals
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概要
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The effect of electron irradiation on CuInS2 single-crystals grown using traveling heater method has been examined using photoluminescence (PL). It has been found that the emission intensities for exciton and donor-acceptor pair transitions decrease, and that the appearance of the structures in deep PL band increases. The peaks which appeared after the electron irradiation appear to be due to the recombination emission, involving deep donors and deep acceptors.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2005-01-15
著者
-
IZAKI Masanobu
Osaka Municipal Technical Research Institute
-
ASHIDA Atsushi
Department of Applied Materials Science, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University
-
WATASE Seiji
Osaka Municipal Technical Research Institute
-
MIYOSHI Yoshihiro
Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University
-
MORISHITA Norio
Japan Atomic Energy Research Institute
-
Abe Kenichiro
Department Of Physics And Electronics Graduate School Of Engineering Osaka Prefecture University
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Agency
-
Wakita Kazuki
Department of Electrical, Electronics and Computer Engineering, Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino, Chiba 275-0016, Japan
-
Wakita Kazuki
Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Sakai, 599-8531, Japan
-
Kamiya Tomihiro
Japan Atomic Energy Research Institute, 1233 Watanuki-cho, Takasaki 370-1292, Japan
-
Kamiya Tomihiro
Japan Atomic Energy Agency, Takasaki, Gunma 370-1292, Japan
-
Ashida Atsushi
Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Sakai, 599-8531, Japan
-
Watase Seiji
Osaka Municipal Technical Research Institute, 1-6-50 Morinomiya, Joto-ku, Osaka 536-8553, Japan
-
Abe Kenichiro
Department of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Sakai, 599-8531, Japan
-
Ohshima Takeshi
Japan Atomic Energy Research Institute, 1233 Watanuki-cho, Takasaki 370-1292, Japan
-
Morishita Norio
Japan Atomic Energy Research Institute, 1233 Watanuki-cho, Takasaki 370-1292, Japan
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