Three-Dimensional Imaging of GaN Films Using Transient Two-Photon Absorption Excited by Near-Infrared Laser Pulses
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概要
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Two-photon absorption (TPA) imaging, based on a transient pump-probe measurement, has been demonstrated for characterizing the nonlinear optical properties of GaN films in three-dimensions. The use of near-infrared excitation light demonstrated the capability to probe changes in TPA inside the structure, which is closely associated with fluctuations in defect states. The TPA coefficient at 1.55 eV was evaluated to be ${\sim} 0.12$ cm/GW for a standard GaN film. A spatial resolution better than $\lambda/2$, for an excitation wavelength of 800 nm, was achieved.
- 2005-04-10
著者
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Abe Yasuhiro
Department Of Applied Physics Hokkaido University
-
Toda Yasunori
Department Of Applied Physics Hokkaido University
-
Hoshino Katsuyuki
Research Center For Advanced Science And Technology Institute Of Industrial Science University Of To
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan
-
Hoshino Katsuyuki
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan
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