イオン注入による蒸着炭素膜の改質
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概要
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A carbon film of 200nm thickness was vacuum-deposited on Si wafer at 573 K. The carbon film was implanted with 280keV Ar<SUP>+</SUP> to doses up to 1×10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>2</SUP>. Implantation temperatures were 90 K to 773 K. Raman and XRD studies showed that the as-deposited carbon was graphite-like amorphous carbon, and implantation above 523 K resulted in growth of graphite microcrystals in the film while implantation below 213 K destroyed graphite-like structure in the film.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
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野田 正治
(株)豊田中央研究所
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野田 正治
豊田中研
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上垣外 修己
(株)豊田中央研究所
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樋口 和夫
(株)豊田中央研究所
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上垣 修己
(株)豊田中央研究所
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樋口 和夫
豊田中央研究所
-
上垣外 修己
株式会社豊田中央研究所
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