N<SUP>+</SUP>イオン注入したZr/サファイヤの界面状態
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概要
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The interface of the Zr/sapphire implanted with N<SUP>+</SUP> ions were examined by RBS and cross-sectional TEM observations. The ion implantation induced the interdiffusion of atoms at the interface and the clear border-line between the Zr film and sapphire was found to disappear. The thickness of the diffusion layer was estimated to be about 10 nm at the interface of the Zr/sapphire implanted with N<SUP>+</SUP> ions to the dose of 2×10<SUP>17</SUP>/cm<SUP>2</SUP>.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
-
野田 正治
(株)豊田中央研究所
-
野田 正治
豊田中研
-
上垣外 修己
(株)豊田中央研究所
-
土井 晴夫
(株)豊田中央研究所
-
鈴木 教友
(株)豊田中央研究所研究4部
-
石黒 友乙
(株)豊田中央研究所研究4部
-
土井 晴夫
(株)豊田中央研究所研究5部
-
野田 正治
(株)豊田中央研究所研究5部
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