N<SUP>+</SUP>イオン照射したZr/SiO<SUB>2</SUB>界面 : XPS法による研究
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概要
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Interface of N<SUP>+</SUP>ion-irradiated Zr/SiO<SUB>2</SUB> was examined by the XPS method combined with Ar<SUP>+</SUP>ion sputteretching. The ion irradiation was found to form a diffusion layer at the interface and to generate chemical bonds like Zr-Si and Zr-O-Si in the diffusion layer. The diffusion layer was inferred to be an atomically mixed phase of Zr, Si, O, and N atoms rather than a mixed phase of Zr and SiO<SUB>2</SUB>.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
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