ダイヤモンド薄膜形成に及ぼす基板の前処理効果
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概要
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In the present study, we investigated deposition of diamond films on both Si substrates pre-treated with diamond powder by an ultrasonic vibrator and also further ion-implanted. The pre-treatment with diamond powders increased a density of diamond nucleation on Si substrate by five-order of magnitude against to the untreated substrate. 280keV Ar<SUP>+</SUP> ion implantation at 90K to the pre-treated substrate significantly reduced the density of the diamond nucleation while the implantation at 773K scarcely affected the density. It is proposed that healing of micro-flaws, which are thought to work as the nucleation sites, is an important mechanism to reduce the diamond nucleation density by ion implantation.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
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野田 正治
(株)豊田中央研究所
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野田 正治
豊田中研
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上垣外 修己
(株)豊田中央研究所
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樋口 和夫
(株)豊田中央研究所
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上垣 修己
(株)豊田中央研究所
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樋口 和夫
豊田中央研究所
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上垣外 修己
株式会社豊田中央研究所
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